專題 — 功率半導體建模
長期研究線：功率元件（MOSFET / GaN HEMT）的大信號行為建模、非線性電容萃取、切換損耗與 ZVS 設計。
首源：2026-joe-nonlinear-capacitance-power-fet。
關注問題
- datasheet 小信號電容 vs. 實際切換行為的落差在哪？如何量化？
- 如何用電荷量測（Q_G, Q_GS, Q_GD, Q_oss）反推連續非線性 C-V 曲線？
- GaN HEMT 與 Si MOSFET 在 C_ds 物理機制上的差異（2DEG 場板耗盡）如何建模？
- 萃取出的模型如何驗證（Q_oss 一致性）與落地（SPICE 行為模型、ZVS 死區）？
概念頁
- non-linear-capacitance-extraction — 非線性電容萃取方法論
- charge-conservation-qv — 電荷守恆 Q-V 模型的優勢
- miller-plateau — Miller 平台電壓 V_plat
- zvs-dead-time — ZVS 死區時間設計
實體頁
- power-mosfet — 功率 MOSFET
- gan-hemt — 氮化鎵高電子遷移率電晶體
- 2deg — 二維電子氣（2DEG）
- spice — SPICE 電路仿真
待探究 / 缺口
- 實測 DPT 與本文模型的誤差量化（目前僅理論推導 + worked example）。
- 溫度對非線性電容的影響（datasheet 多給 25°C）。
- 其他拓撲（totem-pole PFC、LLC）的死區最佳化。